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第35章 芯片未来（第2页）
。。。。。。
十多分钟后，直接散会。
散会后，秦牧直接跟林玲先是全面了解了下现在的情况，然后便来到芯片研发部这边。
现在芯片研发部的人三十多号人，绝大部分是研究生，仅有几个博士生。
芯片研发部的人见秦牧到来，纷纷起身。
秦牧见他们都站起来，便伸手向下压了压：“都坐都坐，我这次过来是想跟大家聊聊关于芯片上面的事情。”
众人在秦牧的示意下，又坐了回去。
“芯片这东西，大家都是高材生，对于这东西应该不陌生吧！”
“有没有人跟我介绍下，芯片这个东西是啥。”
秦牧问道。
现场安静了一会，一个女生从人群中站了起来。
“芯片，简单就是半导体元件，一块集成电路而已。”
秦牧看着这个回答问题的女生，林玲直接在他耳边简单说了下情况。
这是魔都交大的微电子工程专业的研究生，叫施莉娅。
秦牧朝着她点了点头，挥手示意她坐下。
“没错就是一块集成电路，因为晶体管的发明，使得可以将很多微型晶体管集中在一块小小的芯片上面。”
“现在的芯片核心材料都是单晶硅，所以芯片又叫硅基芯片。”
“硅基芯片，从电子管到晶体管，我们已经在硅基领域探索了数十年。”
“芯片的性能频率，从零点几MHz，到现在5。8MHz，这是几千倍的提升”
“制作的工艺，从零点几微米，到后面纳米级，14nm，10nm，到现在的6纳米，它未来的路在哪里？”
“这些相信大家都有了解，硅基芯片几乎已经到了瓶颈，所以我想问下大家，觉得芯片的未来在哪里？”
秦牧话刚落，大家就开始相互讨论了起来。
硅基芯片的物理极限在1nm。
按照晶圆厂们的工艺演进，3nm后的工艺是2nm，再之后的工艺是1。4nm。
因为硅基材料所限，硅基芯片性能的缺陷会变得愈发明显，无法再往1nm以下推进。
在工艺方面，硅基芯片出现了量子隧穿效应、原子掺杂涨落、功耗墙等现象。
在架构方面，出现了冯诺依曼架构的内存墙现象。
在晶体管原理方面，也出现了亚阈值摆幅的玻尔兹曼极限与工作电压的缩减极限。
所以硅基芯片的未来是可以预见的。
几分钟后，大家的讨论声才渐渐停了下来。
“你们能回答我这个问题吗？”秦牧看着他们问了一遍。
施莉娅旁边的男生站了起来。
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